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藍膜
美國UST公司工業膠帶。
專業的硅工藝轉移專用膠帶，殘膠較少，解離得到薄層的概率更高。￥ 0.00
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PDMS
美國Gel Pak公司
轉移二維材料專用凝膠。
厚度為1.7mil，6mil,17mil
尺寸10*10cm￥ 0.00
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BSCCO 晶體
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Bi2SeTe2晶體
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大塊鱗片石墨
本石墨片是由德國進口的優質石墨片，本產品擁有易剝離，剝離所得石墨烯面積大的特點。其質量已經得到專業石墨烯研究者的肯定。機械剝離石墨烯潔凈程度高，易獲取，對于實驗研究，石墨烯面積足夠大。本品牌自2006年開始專注于石墨烯科研樣品的研發，至今已達十年之久，是值得信賴的科研產品。
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國產硅片
P(100),2-4歐姆/厘米，氧化層厚度3000埃。我們為您方便機械剝離和CVD生長各種二維材料，轉移各種二維材料異質結，以及測試各種二維材料場效應、光電器件、低溫輸運提供最好的二氧化硅襯底！
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PET基底石墨烯膜
石墨烯層數可定制，尺寸可定制
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石墨烯/納米銀線復合膜
石墨烯層數，尺寸可定制。
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泡沫鎳基 3D 多層石墨烯
可選擇是否去鎳，尺寸可定制
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硅基底石墨烯
石墨烯層數，尺寸可定制。
單層覆蓋率≥90%￥ 0.00
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石英基底石墨烯
石墨烯層數，尺寸可定制。
單層覆蓋率≥90%￥ 0.00
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銅基底石墨烯
石墨烯，尺寸可定制，
覆蓋率≥90%
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低維材料轉移基底
我們的研發團隊可以將各種單層轉移到各種基材上，包括PET，石英和SiO2/Si等等，而不會嚴重影響材料質量。
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機械剝離法大尺寸單層二維材料
機械剝離法制備單層二維材料。至少能保證5μm~20μm的尺寸。
樣品干凈，顆粒少而且結構沒有缺陷。
十余位工程師為您服務，有3~5年的機械剝離操作經驗。￥ 0.00
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機械剝離法大尺寸定制石墨烯
機械剝離法制備的石墨烯。至少能保證10μm*50μm的尺寸。1層~3層（可定制）
樣品干凈，顆粒少而且結構沒有缺陷。
十余位工程師為您服務，有3~5年的機械剝離操作經驗。￥ 0.00
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機械剝離法大尺寸單層MoS2
機械剝離法制備的單層二硫化鉬。至少能保證10μm*50μm的尺寸。
樣品干凈，顆粒少而且結構沒有缺陷。
十余位工程師為您服務，有3~5年的機械剝離操作經驗。￥ 0.00
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TlInS2（硫化銦鉈）
具有TlInS2化學式的新型層狀單硫元素。該產品通過將Tl合金化成InS而形成Tl0.5In0.5S或TlInS2，得到2.1eV帶隙半導體。它具有分層結構，可以進行剝離。單晶尺寸大于5mm至1cm。
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TlGaSe2（硒化鎵鉈）
具有TlGaSe2化學式的新型分層單硫元素?；旧贤ㄟ^將T 1合金化成GaSe而形成Tl0.5Ga0.5Se或TlGaSe2，以產生1.95eV帶隙半導體。它具有分層結構，可以進行剝離。
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SbAsS?（硫化砷銻）
單晶尺寸：5mm~8mm
純度：99.9998％￥ 0.00
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ReMoS2（硫化鉬錸）
鉬原子完全摻入ReS2基質中。這些合金不是相分離的，意味著Mo和Re原子隨機分布在整個晶體中。重量組成從0.01％至5％的薄型變化。請在訂購時注明Re的百分比。
￥ 0.00
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ReNbSe2（硒化鈮錸）
鈮原子完全摻入ReSe2基質中。這些合金不是相分離的，意味著Nb和Re原子隨機分布在整個晶體中。鈮的組成從0.1％到3％的不等。請指定訂單時間的百分比。
￥ 0.00
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NbReS2（硫化錸鈮）
鈮原子完全結合到ReS2基質中。這些合金不是相分離的，意味著Nb和Re原子隨機分布在整個晶體中。鈮的組成從0.1％到3％的不等。請指定Nb在訂購時的百分比。
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NbReSe2（硒化錸鈮）
鈮原子完全摻入ReSe2基質中。這些合金不是相分離的，意味著Nb和Re原子隨機分布在整個晶體中。鈮的組成從0.1％到3％的不等。請指定Nb在訂購時的百分比。
￥ 0.00
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MoReS?（硫化錸鉬）
錸原子完全摻入MoS2基質中。這些合金不是相分離的，意味著Mo和Re原子隨機分布在整個晶體中。重量組成從0.01％至5％的薄型變化。請在訂購時注明Re的百分比。
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MoWTe2（碲化鎢鉬）
尺寸：5mm
純度：99.9999％￥ 0.00
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CuFeTe（碲化鐵銅）
合金不是相分離的，Fe和Cu原子隨機分布在整個晶體中。Cu濃度設定為50％（Cu1Fe1Te）
CuFeTe是層狀材料中Tc溫度最高的獨特材料。￥ 0.00
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BiTlTe（碲化鉈鉍）
尺寸：~5mm
純度：99.9999％￥ 0.00
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氮摻雜石墨烯
氮摻雜固定在1.5-2％，薄片的橫向尺寸可以達到50微米以上。
￥ 0.00
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多壁碳納米管
超高純度多壁碳納米管（MWCNT）的純度達99.9999％，產品預計將足夠一年以上。
￥ 0.00
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摻溴石墨
高純度石墨（HOPG）晶體已被Br2（溴）嵌入以實現p型摻雜。水晶尺寸尺寸約1cm
￥ 0.00
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真空干燥箱
數碼管顯示溫度控制器； 鋼化玻璃門；
0B 控溫范圍：50~200℃；
1B 控溫范圍：50~250℃； 溫度波動 ±1℃；
真空度＜ 133pa；真空泵另配隔板：1 塊（0B），2 塊（1B￥ 0.00
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恒溫恒濕培養箱
控溫范圍：0~65℃； 溫度波動：±1℃； 溫度均勻度：±2℃
濕度：外置超聲波加濕器濕度范圍：50~90%RH； 濕 度 波 動 ：±5~8%RH 消毒裝置：紫外殺菌燈 觀察窗：復門帶觀察窗 附件：RS485 接口 (II 型 )
微型打印機（III 型）
（II型可選配 RS485 轉 USB 轉接￥ 0.00
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SPX-II 型生化培養箱
控溫范圍：5℃ ~50℃
溫度波動度：±1℃
溫度均勻度：±2℃
鏡面不銹鋼內膽，四角半圓弧設計外門帶觀察窗
環保制冷劑
隔板：3 塊（80L 為 2 塊）￥ 0.00
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CVD單層二硫化鉬
基底尺寸：1cm*1cm
基底類型：藍寶石，PET，石英和SiO2 / Si
單元格參數 a = b = 0.313nm，c = 1.230nm，α=β= 90°，γ= 120°￥ 0.00
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CrBr3（溴化鉻）
單晶尺寸：~10mm
水晶結構：六角形
單元格參數 a = 0.630，c = 1.838nm，α=β= 90°，γ= 120°￥ 0.00
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WTe2（二碲化鎢）
單晶尺寸：~10mm
水晶結構：正交晶體
單元格參數a = 0.348nm，b = 0.625nm，c = 1.405nm，α=β=γ= 90°￥ 0.00
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TaS2（2H二硫化鉭）
單晶尺寸：~10mm
水晶結構：六角形
單元格參數 a = b = 0.331nm，c = 1.207nm，α=β= 90，γ= 120°￥ 0.00
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PtTe2（二碲化鉑）
單晶尺寸：~2mm~3mm
水晶結構：六角形
單元格參數 a = b = 0.4000nm，c = 0.5192nm，α=β= 90°，γ= 120°￥ 0.00
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HOPG（高定向熱解石墨）
單晶尺寸：~12mm
水晶結構：六角形
單元格參數 a = b = 0.246，c = 0.667nm，α=β= 90°，γ= 120°￥ 0.00
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WSe2（二硒化鎢）
單晶尺寸：~10mm
水晶結構：六角形
單元格參數 a = b = 0.328nm，c = 1.298nm，α=β= 90°，γ= 120°￥ 0.00
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ReS2（二硫化錸）
單晶尺寸：~8mm
水晶結構：三斜晶系
單元格參數 a = 0.634，b = 0.640nm，c = 0.645nm，α= 106.74°，β= 119.03°，γ= 89.97°￥ 0.00
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MoWS2（硫化鎢鉬）
單晶尺寸：~6mm
水晶結構：六角形
單元格參數取決于合金中的組成：a = b = 0.31 -0.33nm，c = 1.21-1.29nm，α=β= 90°，γ= 120°￥ 0.00
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MoSe2（2H二硒化鉬）
單晶尺寸：~10mm
水晶結構：六角形
單元格參數：a = b = 0.329nm，c = 1.289nm，α=β= 90°，γ= 120°
品牌：HQ Graphene￥ 0.00
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MoTe2（2H二碲化鉬）
單晶尺寸：~10mm
水晶結構：六角形
單元格參數 a = b = 0.353nm，c = 1.396nm，α=β= 90，γ= 120°￥ 0.00
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MoS2（2H二硫化鉬）
單晶尺寸：~10mm
水晶結構：六角形
單元格參數 a = b = 0.315nm，c = 1.229nm，α=β= 90°，γ= 120°￥ 0.00
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GeS（硫化鍺）
單晶尺寸：~10mm
水晶結構：正交
單元格參數 a = 1.450，b = 0.364nm，c = 0.430nm，α=β=γ= 90°￥ 0.00
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GaSe（2H相硒化鎵）
尺寸：~10mm
水晶結構：六角形
單元格參數 a = b = 0.374nm，c = 1.592nm，α=β= 90°，γ= 120°￥ 0.00
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Black-Phosphorus（黑磷）
單晶尺寸：~10mm
水晶結構：正交C
單元格參數 a = 0.331nm，b = 1.048，c = 0.437nm，α=β=γ= 90°￥ 0.00
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WS2（2H二硫化鎢）
單晶尺寸：~10mm
水晶結構：六角形
單元格參數 a = b = 0.315nm，c = 1.227nm，α=β= 90°，γ= 120°￥ 0.00
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h-BN（六方氮化硼）
單晶尺寸：1mm~1.5mm
水晶結構：六角形
單元格參數 a = b = 0.2502nm，c = 0.6617nm，α=β= 90°，γ= 120°￥ 0.00
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GaS（α相硫化鎵）
單晶尺寸：~10mm
水晶結構：六角形
單元格參數a = 0.360，b = 0.640nm，c = 1.544nm，α=β= 90°，γ= 120°￥ 0.00
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